下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部除极化电位 B.具有“全或无”性质C.是局部超极化电位 D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突...

作者: rantiku 人气: - 评论: 0
问题 下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
选项 A.是局部除极化电位 B.具有“全或无”性质 C.是局部超极化电位 D.由突触前膜递质释放量减少所致 E.由突触后膜对钠通透性增加所致
答案 C
解析 C抑制性突触后电位(IPSP)的发生机制是某种抑制性递质作用于突触后膜,导致Cl-通道开放, Cl-内流,使膜发生超极化。因此IPSP是局部超极化电位,而不是除极化电位。由于IPSP是局部电位,因 此不具备“全或无”性质(此为动作电位的特性)。IPSP的产生主要是突触后膜对Cl-通透性增加所致, 也可能与Na+通透性减小有关,不是因突触前膜递质释放量减少引起。参阅【2004NO18】。

猜你喜欢

发表评论
更多 网友评论0 条评论)
暂无评论

Copyright © 2012-2014 题库网 Inc. 保留所有权利。 Powered by tikuer.com

页面耗时0.0284秒, 内存占用1.03 MB, Cache:redis,访问数据库20次